圆靶
纯钨靶材(圆)
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钨溅射靶材原理

钨溅射靶材的原材料为钨粉,其常用类型有电弧靶型、平面靶型和旋转靶型。
溅射:当正离子经电场加速后(以下成为高能粒子)在轰击靶材表面,这些高能粒子会与靶材表面的分子、原子交换能量,然后这些原子会从靶材表面溅射出来的现象。
真空溅射镀膜(溅射薄膜沉积):因为飞溅出来的原子本身具有一定的动能,所以,它们能够重新回到靶材表面并形成一层薄膜,此过程称为真空溅射镀膜。

钨溅射靶材原理:
在高真空室(10-3-10-4Pa)中,在阴极(被溅射的靶极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,然后再充入惰性气体(氩气)。在靶材料表面,永久磁铁会形成磁场并与高压电场组成正交电磁场。氩气在电场的作用下电离成离子和电子,而从靶极射出的电子,因为受到了磁场的作用,所以,会在阴极附近会形成等离子体(具有高密度)。Ar离子加速并轰击靶面,原子会从靶上溅射出来并以较大的动能飞向基片,然后淀积成膜。

磁控溅射原理 溅射原理

钨靶材的溅射镀膜需要考虑到的问题主要有以下几点:
(1)薄膜的纯度。真空度要好;要洁净基片。
(2)沉积速率。如果适当提高沉积速率,溅射速率也会有所提高。
(3)膜厚分布。膜厚应当比较均匀。
(4)溅射气体的选择。通常选择氩气作为溅射气体。
(5)溅射电压和基片电位。基片不可悬浮。
(6)钨靶材的纯度。钨靶材表面的氧化物和杂质等会污染薄膜的纯度。
(7)基片的温度。温度过高会影响膜层的结构。

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