원형 텅스텐 대상
순수 텅스텐 대상 (원)
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텅스텐 대상 작동 원리

텅스텐 타겟의 원료는 그의 일반적인 유형 목표 아크 형, 평판 형 및 목표 대상 회전 유형이다 텅스텐 분말이다.
전계에 의해 가속 된 양이온 (이하 에너지 입자라고 함) 할 때,이 목표면 도배 것, 이러한 에너지 입자가 타겟 표면에 분자와 원자와 에너지를 교환하며, 이들 원자로부터 스퍼터링 것이다 스퍼터링 표면을 대상으로.
진공 스퍼터링 코팅 (성막 스퍼터링) : 원자 밖으로 스퍼터링 일정한 운동 에너지를 보유하고 있기 때문에,이 공정은, 진공 스퍼터링 코팅으로 알려진, 타겟 표면으로 되돌아와, 박막을 형성 할 수있다.

작동 원리 텅스텐 대상 :
고진공 챔버 (10-3-10-4Pa), 음극 (스퍼터링 타깃 전극)과 음극 사이에 직교 자기장 및 전기장을 첨가 한 다음, 불활성 가스 (아르곤 가스)로 충전된다. 표적 물질의 표면 상에, 영구 자석은 고전압 전기장 넘어 전기 및 자기장을 구성 할 것이다 자기장을 생성한다. 전기장에 아르곤 가스가 이온과 전자 및 인한 자계의 영향으로, 타깃 전극으로부터 방출 된 전자로 이온화되며, 이는 캐소드 근처 (고밀도), 플라즈마를 형성 할 것이다. 아르곤 이온을 가속하고 대상면을 도배 한 다음 원자는 대상으로부터 스퍼터링하고 더 큰 운동 에너지와 기판에 도착, 다음 영화에 입금.

마그네트론 스퍼터링 작동 원리 스퍼터링 작동 원리

무엇 텅스텐 대상은 다음과 같이 표시됩니다 고려할 필요가있다 :
(1) 필름의 순도. 진공의 정도는 더되어야한다 기판을 청소해야합니다.
(2) 증착 속도. 적절한 증착 속도가 증가하면, 스퍼터링 속도가 증가 될 것이다.
(3) 막 두께 분포. 막 두께는 상대적으로 균일해야한다.
스퍼터링 가스
(4) 선택. 아르곤은 일반적으로 스퍼터링 가스로서 선택된다.
(5) 스퍼터링 및 기판 전압 전위. 기판은 정지 될 수 없다.
텅스텐 타겟
(6) 순도. 텅스텐 타겟 표면상의 산화물 및 불순물이 필름의 순도를 오염시킬 것이다.
(7) 상기 기판의 온도. 온도가 너무 높은 경우, 필름의 구조에 영향을 미칠 것이다.

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