원형 텅스텐 대상
순수 텅스텐 대상 (원)
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텅스텐 스퍼터링 타겟


텅스텐 스퍼터링 타겟은 무엇인가?

텅스텐 스퍼터링 타겟, 사람들은 또한, 그 직접 필름 재료의 성질에 영향을 미칠 것이다 품질 때문에 표적 물질은 다음의 요건을 충족해야 텅스텐 타겟으로서 호출;

1. 고순도. 텅스텐 스퍼터링 타겟의 순도가 높을 경우, 스퍼터링 효과 - 필름의 내식성 강할 것이고, 그것의 전기 광학적 특성이 더 좋을 것이다. 일반적으로, 순도 요건 디스플레이 및 기타 반도체 소자는, 예를 들면, 자성 박막 텅스텐 스퍼터링 타겟의 순도가 99.9 % 이상이어야한다, 엄격한;

2. 높은 밀도 19.1g / ㎤의 이상;

3. 입자 크기가 작아야한다. 통상적으로, 입자의 순서는 타겟 물질, 빠른 잡곡보다 스퍼터링 타겟의 미세 입자 크기의 비율과 동일한 조성물, μm의 발 mm이고;

4. 불순물 함량은 낮아야한다. 대상 재료는 캐소드로서 작용하고, 스퍼터링 타겟의 주요 오염원은 물, 산소와 같은 기공, 및 고체 불순물이다. 낮은 불순물 함량, 높은 순도;

5. 구성과 조직 구조는 균일해야한다.

원형 텅스텐 스퍼터링 타겟 진공 패키지의 텅스텐 타겟

대상의 유형
성분에 의한 분류가, 타겟은 순수한 금속 타겟 합금 타겟과 세라믹 타겟으로 나눌 수있다.
상세히 타겟 타입은 아래와 알 수

구성
순수 금속 W, Mo, Ni, Ti, Al, Ag, Si, In, Sn and so on
합금 W-Cu, Ag-W, Cu- Ni, Mo- Al and so on
세라믹

NiO, WO3, TiN, SiO, FeO, SiC , ZnO, TiN, MgO, SiN, CrO, ZnS, SiO2, AlN, etc.

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