Tungsten Princípio de Trabalho Alvo
A matéria-prima de alvo de tungstênio é pó de tungstênio, cujos tipos mais comuns são do tipo arco-alvo, tipo de destino planar e tipo de destino rotativo.
Pulverização catódica: Quando os íons positivos acelerados pelo campo elétrico (doravante denominado partículas energéticas), ele vai bombardear a superfície do alvo, estas partículas energéticas irão trocar energia com as moléculas e átomos na superfície do alvo, e então estes átomos vai cuspindo fora da superfície alvo.
Revestimento de vácuo pulverização catódica (sputtering deposição de filmes): porque os átomos cuspiu possui uma certa energia cinética, eles podem retornar à superfície do alvo e formar uma película fina, este processo é conhecido como revestimento de vácuo pulverização catódica.
Alvo de tungstênio princípio de funcionamento:
Em uma câmara de alto vácuo (10-3-10-4Pa), a adição de um campo magnético e eléctrico ortogonal entre o cátodo (o eléctrodo alvo pulverizado) e o ânodo, e depois enchê-la com um gás inerte (árgon). Na superfície do material alvo, íman permanente vai gerar um campo magnético, que irão compor um campo eléctrico e magnético cruzados, com campo eléctrico de alta tensão. Gás árgon no campo eléctrico vai ionizar em iões e electrões, e os electrões emitidos a partir do eléctrodo alvo, devido ao efeito do campo magnético, ele irá formar plasma (com alta densidade) próxima do cátodo. Íons de Ar acelerar e bombardeiam a superfície do alvo e, em seguida átomos vai engasgar fora do alvo e voar para o substrato com maior energia cinética, e em seguida, depositar no filme.
O alvo de tungstênio precisa levar em conta é apresentado como segue:
(1) A pureza do filme. O grau de vácuo deve ser melhor; o substrato deve ser limpo.
(2) Deposição taxa. Se a velocidade de deposição aumenta de forma apropriada, a taxa de pulverização catódica será aumentada.
(3) distribuição da espessura de filme. A espessura da película deve ser relativamente uniforme.
(4) Seleção de gás pulverização catódica. O árgon é normalmente seleccionada como um gás de pulverização catódica.
(5) A tensão de pulverização catódica e o substrato potencial. O substrato não pode ser suspensa.
(6) A pureza do alvo de tungstênio. Óxidos e impurezas na superfície-alvo de tungsténio irá contaminar a pureza do filme.
(7) A temperatura do substrato. Se a temperatura for demasiado alta, que irá afectar a estrutura da película.
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